Módulo fotográfico de avalancha InGaAs APD
La familia de módulos de fotodiodos InGaAs Avalanche utiliza alta linealidad,Baja corriente oscura, alta capacidad de respuesta. alto factor de multiplicación Chip APD de InGaAs.
☆ Rango de longitud de onda: 1000 nm a 1650 nm
☆ Tamaño del área de detección: 30um
☆ Factor de multiplicación: Tipo M>60
☆ Tanto el paquete coaxial como el paquete mariposa de 8 pines
Solicitud
☆ OTDR (reflectómetro óptico en el dominio del tiempo)
☆ Instrumentadores ópticos
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